Micron เปิดตัวหน่วยความจุสำหรับมือถือ UFS 4.0 ใหม่ อีกหนึ่งทางเลือกสำหรับข้อมูลที่เร็วขึ้น โดยจุดเด่นของ UFS 4.0 จาก Micron คือสามารถอ่าน-เขียนข้อมูลได้เร็วกว่าของ Samsung เกือบ 2 เท่าเลยทีเดียว!?
โดยเทคโนโลยีใหม่นี้จะใช้ในการหน่วยความจุ 3 ความจุคือ 256GB, 512GB และ 1TB ซึ่งสร้างขึ้นจากแฟลช TLC 232 เลเยอร์ (เซลล์สามระดับ เช่น จัดเก็บ 3 บิตต่อเซลล์) ใช้สถาปัตยกรรม NAND แบบ 6 ระนาบทำให้สามารถเขียนข้อมูลได้สูงขึ้นถึง 100% และแบนด์วิธการอ่านสูงกว่า 75% เมื่อเทียบกับของรุ่นก่อนหน้า
Micron เคลมว่า UFS 4.0 ของบริษัทมีความเร็วในการอ่านสูงถึง 4,300 MBps และความเร็วในการเขียนสูงสุด 4,000 MBps ซึ่งสูงกว่า UFS 4.0 ของ Samsung (อ่าน 4,200 MBps/เขียน 2,800 MBps) เสียอีก!
นอกจากนี้ ชิป UFS 4.0 ใหม่ของ Micron ยังประหยัดพลังงานมากขึ้น 25% และมีความหน่วงในการเขียนที่ลดลงเฉลี่ย 10% เมื่อเทียบกับคู่แข่งด้วย
Micron ระบุว่าการผลิตในปริมาณมากจะเริ่มขึ้นในช่วงครึ่งหลังของปีนี้ จึงอาจต้องใช้เวลาสักพักก่อนจะเห็นโปรดักส์จริงที่จะใช้หน่วยความจำตัวนี้ แต่ตอนนี้ Micron เผยว่าได้จัดส่งตัวอย่างไปให้ผู้ผลิตสมาร์ทโฟนรวมถึงผู้จำหน่ายชิปเซ็ตทั่วโลกได้ทดสอบแล้วครับ
ที่มา : GSMArena