Samsung ประกาศเปิดตัวหน่วยความจำสำหรับสมาร์ทโฟน eUFS 2.1 ความจุ 1TB คาดมาพร้อมกับ Galaxy S10 ในเดือนกุมภาพันธ์นี้
Galaxy S10+ จะมีความจำ 1TB
ครั้งแรกกับหน่วยความจำแฟลช eUFS ความจุ 1TB จาก Samsung ที่เริ่มผลิตเพื่อจัดจำหน่ายอย่างเป็นทางการแล้ว ออกมาเพื่อใช้งานกับสมาร์ทโฟนระดับพรีเมียม จึงมีความเป็นไปได้ว่า Galaxy S10 หรือ S10+ จะเป็นรุ่นแรกที่มาพร้อมกับหน่วยความจำนี้
eUFS ความจุ 1TB ตัวใหม่นี้มีขนาดใหญ่พอๆ กับ 512GB ที่เปิดตัวไปก่อนหน้า แต่มีขนาดความจุที่เพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่า โดยการรวมเลเยอร์หน่วยความจำแฟลช V-NAND 16 ชั้นซ้อนเข้าด้วยกันและมีคอนโทรลเลอร์ที่พัฒนาขึ้นใหม่ ทำให้มีความเร็วในการใช้งานเพิ่มขึ้นด้วย
สำหรับความเร็วในการอ่านต่อเนื่องสูงถึง 1000MB/s และความเร็วในการเขียนต่อเนื่อง 260MB/s เมื่อเทียบกับมาตรฐานของ SATA SSD ขนาด 2.5 นิ้ว ที่มีความเร็วในการอ่านราว 540MB/s ถือว่าชิพความจำแฟลชตัวใหม่ของ Samsung ทำได้ดีมากๆ ซึ่งถ้าเทียบกับความจุ 512GB ในรุ่นก่อนหน้า จะทำได้ดีขึ้นถึง 38%
ตารางเปรียบเทียบโซลูชันหน่วยความจำภายในแต่ละรุ่น
| หน่วยความจำ | อ่านตามลำดับ | การเขียนตามลำดับ | สุ่มอ่าน | สุ่มเขียน |
| 1TB eUFS 2.1 | 1,000 MB/s | 260 MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 | 860 MB/s | 255 MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| UFS 256GB Card | 530 MB/s | 170 MB/s | 40,0000 IOPS | 35,000 IOPS |
| 256GB eUFS 2.0 | 850 MB/s | 260 MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 | 300 MB/s | 150 MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
ที่มา : NewroomSamsung