Samsung เปิดตัวชิพแรม LPDDR5 8 GB สำหรับโทรศัพท์รุ่นถัดไป

เมื่อต้นปีที่ผ่านมา Samsung เริ่มผลิตชิพหน่วยความจำ GDDR6 ในขั้นตอน “10nm class” สำหรับการ์ดกราฟิกและตอนนี้โรงงานกำลังเร่งสร้างชิพ LPDDR5 8 กิกะบิตสำหรับโทรศัพท์รุ่นถัดไป

หมายเหตุ: “10nm class” หมายถึง “ระหว่าง 10nm และ 20nm” ดังนั้นจึงไม่ใช่โหนด 10nm ที่แท้จริง

ชิพเหล่านี้มีอัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุดถึง 6,400Mbps การปรับปรุงประสิทธิภาพที่ดีขึ้น 50% จากชิพตัวท็อปสุดในปัจจุบัน LPDDR4X ที่ 4,266Mbps ความเร็วนี้สามารถทำได้เมื่อชิพได้รับการขับเคลื่อนที่ 1.1V สำหรับการใช้พลังงานต่ำกว่าโหมด 1.05V มีให้บริการที่ความเร็ว 5,500Mbps

ในส่วนของแรงดันไฟฟ้าจะยังคงเหมือนเดิมแต่จะเปลี่ยนไปตามความเร็วในการทำงาน ในส่วนของโหมด Sleep นั้นจะใช้พลังงานน้อยกว่า LPDDR4X ถึงครึ่งเท่าดังนั้นจึงต้องใช้พลังงานถึง 30% ในการใช้งานทั่วไป ทาง Samsung คาดว่าแบนด์วิดท์ระดับสูงของชิพเหล่านี้จะใช้ประโยชน์สำหรับแอพพลิเคชันที่ใช้ระบบ AI และโทรศัพท์ที่รองรับ 5G

ซึ่งบริษัทและผู้จัดจำหน่ายชิพชั้นนำได้ทดสอบแรม 8GB พร้อมชิพ LPDDR5 จำนวน 8 ชิพ และทาง Samsung ยังมีโครงการที่จะผลิต RAM รุ่นใหม่ที่โรงงาน Pyeongtaek ในเกาหลีใต้ด้วย

ที่มาข่าว: gsmarena