Qualcomm ประกาศเปิดตัว Snapdragon 835 ขนาดเล็กลง แต่เร็วแรงกว่าเดิม

Qualcomm ใช้เวทีงาน CES 2017 ประกาศเปิดตัวชิปประมวลผลสำหรับอุปกรณ์พาตัวใหม่ล่าสุด Snapdragon 835 ที่มีกระบวนการผลิต 10 นาโนเมตร FinFET รองรับเทคโนโลยี VR และระบบปฏิบัติการ Windows 10 อย่างเต็มรูปแบบ

Snapdragon 835 มีซีพียู Kryo 280Octa-core แบ่งการทำงานออกเป็น 2 ระดับ คือ 4 x Kryo 280 ความเร็ว 2.45GHz สำหรับการประมวลผลสูงสุด และ 4 x Kryo 280 ความเร็ว 1.90GHz สำหรับการประมวลผลทั่วไปเพื่อประหยัดพลังงาน และด้วยกระบวนการผลิต 10 นาโนเมตร FinFET ทำให้ชิปประมวลผลตัวใหม่นี้มีขนาดเล็กลงกว่าเดิม 35% และใช้พลังงานน้อยลง 25% เมื่อเทียบกับ Snapdragon 820

ในส่วนของจีพียูหรือกราฟิก Adreno 540 รองรับ OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan API และ DirectX 12 เรียกได้ว่ารองรับการประมวลผลกราฟิกระดับสูงได้อย่างเต็มรูปแบบสำหรับการเล่นเกมมือถือและเทคโนโลยี VR กับ AR

Snapdragon 835 รองรับเซ็นเซอร์กล้องความละเอียด 32 ล้านพิกเซลหรือกล้องคู่ความละเอียด 16 ล้านพิกเซล สามารถบันทึกวิดีโอความละเอียด 4K ที่ความเร็ว 30fps และรองรับการเล่นวิดีโอ 4K ที่ความเร็ว 60fps

Snapdragon 835 มาพร้อมโมเด็ม X16 LTE รองรับเครือข่าย LTE Cat.16 ความเร็วดาวน์โหลดสูงสุด 1 Gbps ด้วยเทคโนโลยี CA จำนวน 4 x 20 MHz และความเร็วอัปโหลดสูงสุด 150 Mbps ด้วยเทคโนโลยี CA จำนวน 2 x 20 MHz และรองรับมาตรฐาน Bluetooth 5.0

นอกจากนี้แล้ว Snapdragon 835 ยังรองรับการใช้งานบนเครือข่าย LTE ได้พร้อมกัน 2 ซิมการ์ด, VoLTE with SRVCC ไปยังเครือข่าย 3G/2G และรองรับ Ultra HD Voice (EVS), CSFB ไปยัง 3G/2G

Snapdragon 835 รองรับเทคโนโลยีชาร์จเร็ว Quick Charge 4.0 ชาาร์จเร็วขึ้น 20% และมีประสิทธิภาพดีขึ้น 30% เมื่อเทียบกับ Quick Charge 3.0 ผ่านพอร์ตเชื่อมต่อแบบ USB Type-C

Snapdragon 835 จะมาพร้อมกับอุปกรณ์พกพาภายในช่วงครึ่งปีแรกของปีนี้ ซึ่งก็ต้องรอดูกันว่าสมาร์ทโฟนหรืออุปกรณ์พกพารุ่นใดจะเป็นรุ่นแรกที่ใช้ชิปประมวลผลตัวใหม่นี้