30 
Samsung Foundry ประกาศการเริ่มการผลิตหน่วยประมวลผลขนาด 3 นาโนเมตรรุ่นที่ 1 แล้วในตอนนี้ โดยใช้การผลิตบนสถาปัตยกรรม GAA (Gate-All-Around) ที่เป็นเทคโนโลยีต่อจาก FinFET
เมื่อเทียบกับชิปขนาด 5 นาโนเมตรแล้ว ชิปขนาด 3 นาโนเมตรรุ่นแรกของ Samsung จะช่วยให้มีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 23% พร้อมประหยัดพลังงานลงถึง 45% และใช้พื้นที่ลดลง 16%
ทั้งนี้ Samsung ก็ยังคงตั้งเป้าหมายให้ชิป 3 นาโนเมตรรุ่นที่ 2 มีความแรงเพิ่มขึ้น 30%, ประหยัดพลังงานลง 50% และกินพื้นที่น้อยลง 35% เมื่อเทียบกับชิป 5 นาโนเมตร
สำหรับการที่ Samsung เริ่มผลิตชิปขนาด 3 นาโนเมตรก็ทำให้แซงหน้า TSMC ไปแล้ว โดย Samsung ก็คาดว่าจะเริ่มผลิตชิป 3 นาโนเมตรแบบเต็มกำลังในช่วงครึ่งหลังของปีนี้ให้ได้